Description
SMD-suunnittelu
Katkaisujännite U(BR) (DSS): 50 V
R(DS) (päällä): 3,5
I(d): 220 mA
Vertailuvirta R(DS)(päällä): 130 mA
C(ISS): 27 pF
Teho: 0,36 W
Vertailujännite C(ISS): 25 V
Transistorin tyyppi: MOSFET-transistori
Transistorin tyyppi: N-kanavainen
Diodi: KYLLÄ
Lämpötila-alue: -55 – +150 °C
Asennus: SMD
Hinta 1 kpl, 3000 kappaleen rullissa.






Reviews
There are no reviews yet.